SiC／GaNパワーデバイスの技術開発動向と今後の課題（セミナー3/17）
SiCやGaN等のワイドギャップ半導体パワーデバイスについて、その現状と課題を詳細に解説！
SiC／GaNパワーデバイスの技術開発動向と今後の課題
申込用紙はこちら・パンフレットPDF (セミナー「SiC／GaNパワーデバイスの技術開発動向と今後の課題」)
日時・場所
日時：2015年3月17日（火） 12:30～16:30
会場：江東区産業会館 第5展示室 東京都江東区東陽4-5-18
→会場へのアクセス
受講料
非会員：49,980円（税込）
会 員：47,250円（税込）
学校関係者：10,800円（税込）
※資料付
※会員（案内）登録していただいた場合、通常1名様申込で49,980円（税込）から
★1名で申込の場合、47,250円（税込）へ割引になります。
★2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計49,980円（2人目無料）です。
※学校関係者価格は、企業に在籍されている研究員の方には適用されません。
お申込はこちらのパンフレットをダウンロードしてFAXでお申込みください。
PDF (セミナー「SiC／GaNパワーデバイスの技術開発動向と今後の課題」)
定員：30名
※ 現在、お申込み可能です。満席になり次第、募集を終了させていただきます。
講師
山本 秀和 氏 / 千葉工業大学 工学部 電気電子情報工学科 教授 工学博士
＜ご専門＞
パワーデバイス、半導体結晶技術
＜学協会等＞
応用物理学会、電気学会、電子情報通信学会
＜ご略歴＞
1984年3月 北海道大学大学院博士後期課程修了
1984年4月～2010年3月 三菱電機株式会社
2010年3月～現職
趣旨
近年、再生可能エネルギーを利用した分散型発電とスマートグリッドが検討されてきたが、東日本大震災における原発の安全神話崩壊以降、これらの普及を加速しなければならない状況となった。また、現在地球温暖化防止が人類最大の課題であり、ハイブリッドカーや電気自動車の普及加速や電気機器のインバーター化が急務である。
これらの装置やシステムにおいては電力変換を頻繁に行う必要があり、効率的な電力変換を実現しているのがパワーデバイスである。パワーデバイスは、発明当初からシリコンを用いて製造されてきており、今後も当面はシリコンパワーデバイスが主流である。一方で、シリコンパワーデバイスの性能が限界に近づいており、SiCやGaN等のワイドギャップ半導体パワーデバイスによりさらなる高性能化を図る動きが活発になってきた。
本セミナーでは、パワーデバイスの用途およびシリコンパワーデバイスの歴史を概観し、ワイドギャップ半導体パワーデバイスの優位性を解説する。ワイドギャップ半導体パワーデバイスにより、高効率化、大容量化、高温動作化、高周波動作化が期待される。それぞれの現状と課題を詳細に解説する。
プログラム
1. パワーデバイスの概要
1-1．パワーデバイスの用途
1-2．パワーデバイスの歴史
2. ワイドギャップ半導体の優位性
2-1．半導体材料としての優位性
2-2．開発ターゲット
3. パワーデバイスの高効率化および大容量化
3-1．SiCパワーデバイスの有用性
3-2．結晶品質と供給体制
4. パワーデバイスの高温動作化
4-1．SiCパワーデバイスの有用性
4-2．高温動作対応パワーモジュール
5. パワーデバイスの高周波動作
5-1．GaNパワーデバイスの有用性
5-2．周辺部品の重要性
6. まとめ
